THE EFFECT OF SURFACE CLEANING AND REMOVING OF ORGANIC CONTAMINANTS FROM SILICON SUBSTRATES AND ITO GLASS BY ATMOSPHERIC PRESSURE NON-THERMAL PLASMA

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

MEDVECKÁ Veronika ZAHORANOVÁ Anna KOVÁČIK Dušan GREGUŠ Ján

Rok publikování 2012
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj CHEMICKÉ LISTY
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova DCSBD; silicon substrates; ITO glass;cleaning; organic contaminants
Popis Plasma generated by DCSBD was investigated for cleaning and removing of organic contaminants from semiconductor materials. ITO glass used in photovoltaics and three types of most often used silicon surfaces in semiconductor industry – precleaned silicon, thermally oxidized silicon and H-terminated silicon was studied. The changes in chemical bonds on silicon surfaces were investigated by FTIR. Removing of IPA from silicon substrates was observed by XPS measurements. Effectivity of DCSBD as cleaning agent in comparison with isopropylacohol was investigated on ITO glass samples by XPS measurement.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.