Epitaxial Ge-crystal arrays for X-ray detection

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Epitaxní Ge-krystalová pole pro rtg detekci
Autoři

KREILIGER Thomas FALUB Claudiu Valentin ISA Fabio ISELLA G. CHRASTINA D. BERGAMASCHINI R. MARZEGALLI A. KAUFMANN R. NIEDERMANN P. NEELS A. MÜLLER E. MEDUŇA Mojmír DOMMANN Alex MIGLIO Leo VON KANEL Hans

Rok publikování 2014
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Journal of Instrumentation
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://iopscience.iop.org/1748-0221/9/03/C03019
Doi http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/03/C03019
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Materials for solid-state detectors; Solid state detectors; X-ray detectors
Popis Monolitická integrace rtg absorbční vrstvy na Si CMOS čipu může být potenciálně přitažlivý způsob zlepšení výkonu detektoru za přijatelných nákladů. Elektrické charakteristiky jednotlivých Ge-Si diod jsou získány z in=situ měření uvnitř skenovacího mikroskopu.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.