Modification of (111) and (100) silicon in atmospheric pressure plasma

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

SKÁCELOVÁ Dana STUPAVSKÁ Monika SŤAHEL Pavel ČERNÁK Mirko

Rok publikování 2014
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Applied Surface Science
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433214009726#
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.196
Obor Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova Atmospheric pressure plasma; DCSBD; Crystalline silicon wafer; Plasma activation; Plasma roughening; Wettability
Popis In this paper the effect of plasma treatment in dependence of the different crystallographic orientation of silicon surface, (1 0 0) plane and (1 1 1) plane is studied. Plasma treatment was realized in atmospheric pressure plasma generated by diffuse coplanar surface barrier discharge in ambient air. The changes of surface morphology, wettability and chemical structure were investigated by means of the AFM measurement, contact angle measurement and XPS, respectively. It was proved that plasma roughening of c-Si depends on the crystallographic orientation. The wettability of c-Si after plasma treatment was improved independently on the orientation however oxidation of Si surface was also observed. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.