Utilization of the sum rule for construction of advanced dispersion model of crystalline silicon containing interstitial oxygen

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

FRANTA Daniel NEČAS David ZAJÍČKOVÁ Lenka OHLÍDAL Ivan

Rok publikování 2014
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Thin Solid Films
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www http://ac.els-cdn.com/S0040609014003514/1-s2.0-S0040609014003514-main.pdf?_tid=0ab31e60-cd51-11e4-974b-00000aacb361&acdnat=1426671048_33720b9a5f3421f518aa642d5757ebfa
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.03.059
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Dispersion model; Sum rule; Transition strength; Crystalline silicon
Přiložené soubory
Popis The distribution of the total transition strength, i.e. the right hand side of the integral form of Thomas-Reiche-Kuhn sum rule, into individual absorption processes is described for crystalline silicon containing interstitial oxygen. Utilization of the sum rule allows the construction of a dispersion model covering all elementary excitations from phonon absorption to core electron excitations. The dependence of transition strength of individual electronic and phonon contributions on temperature and oxygen content is described. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.