Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures

• Název česky: Vysoce nepřizpůsobené bezdislokační SiGe/Si heterostruktury
• Autoři: ISA F.; SALVALAGLIO M.; DASILVA YAR.; MEDUŇA Mojmír; BARGET M.; JUNG A.; KREILIGER T.; CANO I RUIZ Gisella; ERNI R.; PEZZOLI F.; BONERA E.; NIEDERMANN P.; GRONING P.; MONTALENTI F.; VON KAENEL Hans
• Rok publikování: 2016
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: ADVANCED MATERIALS
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• www: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201504029/abstract
• Doi: http://dx.doi.org/10.1002/adma.201504029
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: heteroepitaxy; heterostructures; strain relaxation; SiGe; substrate patterning
• Popis: Bezdislokační nepřizpůsobené heterostruktury na Si substrítech jsou vyrobeny novou strategií. Relaxace pnutí je navrženo tak že je elastické spíše než plastické, kombinací vhodného vzorkovaného substrátu a vertikálním růstem krystaslů s gradovaným složením.

Související projekty

• CEITEC - středoevropský technologický institut
• NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií
• CEITEC - open access