SiO2/Si etching in atmospheric pressure hydrogen DBD plasma

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	KRUMPOLEC Richard ČECH Jan ČERNÁK Mirko
Rok publikování	2015
Druh	Konferenční abstrakty
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Popis	The SiO2/Si etching was studied in DCSBD discharge generated in pure hydrogen at atmospheric pressure and room temeperature conditions. The estimated etching rate of SiO2 was approx. 1 nm/min.
Související projekty:	CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy