SiO2/Si etching in atmospheric pressure hydrogen DBD plasma

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

KRUMPOLEC Richard ČECH Jan ČERNÁK Mirko

Rok publikování 2015
Druh Konferenční abstrakty
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Popis The SiO2/Si etching was studied in DCSBD discharge generated in pure hydrogen at atmospheric pressure and room temeperature conditions. The estimated etching rate of SiO2 was approx. 1 nm/min.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.