Determination of the impact of Bi content on the valence band energy of GaAsBi using x-ray photoelectron spectroscopy

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

COLLAR K. LI J. JIAO W. GUAN Y. LOSURDO M. HUMLÍČEK Josef BROWN A.S.

Rok publikování 2017
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj AIP Advances
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4986751
Doi http://dx.doi.org/10.1063/1.4986751
Klíčová slova MOLECULAR-BEAM EPITAXY; TEMPERATURE-DEPENDENCE; GAAS1-XBIX; INTERFACE; GROWTH; GAP
Popis We investigate the change of the valence band energy of GaAs1-xBix as a function of dilute bismuth (Bi) concentration, x, using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The change in the valence band energy per addition of 1 % Bi is determined for strained and unstrained thin films using a linear approximation applicable to the dilute regime. Spectroscopic ellipsometry (SE) was used as a complementary technique to determine the change in GaAsBi bandgap resulting from Bi addition. Analysis of SE and XPS data together supports the conclusion that similar to 75% of the reduction in the bandgap is in the valence band for a compressively strained, dilute GaAsBi thin film at room temperature.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.