Thermal stability of amorphous Nb/Si multilayers studied by x-ray reflection

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	BOCHNÍČEK Zdeněk VÁVRA Ivo HOLÝ Václav
Rok publikování	1999
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Bulletin Krystalografické společnosti Materials Structure
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	thermal stability; mutlilayers; x-ray reflection
Popis	The thermal stability was studied in temperature range from 150C up to 350C. It has been found, that interdifusion causes the interface shift without lost of interface sharpness. The diffusion model has been suggested that is based on enhanced diffusion of Si into Nb component of the multilayer.
Související projekty:	Sledování teplotní stability vrstevnatých systémů vysokorozlišujícími metodami rtg difrakce a optické reflexe rtg záření při žíhání in situ