MODIFICATIONS OF THE OPTICAL PARAMETERS  OF THE SILICON THIN FILMS DUE TO THE LIGHT SCATTERING

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Pedagogickou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	SLÁDEK Petr SŤAHEL Pavel ŠŤASTNÝ Jiří PŘIKRYL Radek
Rok publikování	2000
Druh	Článek ve sborníku
Konference	Electronic Devices and Systems Y2K
Fakulta / Pracoviště MU	Pedagogická fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Light scattering; Si thin film ; Photocurrent
Popis	We use photocurrent and photothermal deflection spectroscopies to study defects in amorphous, polymorphous and microcrystalline Si thin films. Enhanced light absorption in mc-Si, nc-Si and pm-Si films is due to the several contributions, one of which is the light scattering. For the estimation of the influence of the light scattering on the standard CPM measurements we use the innovation method of the "outside" induced excess current, when the probing beam is impinging outside the region with the electric field (between electrodes).
Související projekty:	Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek