Atomic Force Microscopy Analysis of Statistical Roughness of GaAs Surfaces Originated by Thermal Oxidation

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Analýza statistické drsnosti povrchů GaAs vzniklých termickou oxidací pomocí mikroskopie atomové síly
Autoři	KLAPETEK Petr OHLÍDAL Ivan NAVRÁTIL Karel
Rok publikování	2004
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Microchimica Acta
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	THIN-FILMS; OPTICAL-PROPERTIES; OXIDE FILM; TIO2; BOUNDARIES; INTERFACE; SINGLE; LAYERS
Popis	Určili jsme významné statistické veličiny drsných povrchů monokrystalů GaAs vzniklých termickou oxidací. Termická oxidace těchto povrchů byla provedena při teplotě 500 C. Pomocí matematického postupu vyvinutého pro zpracování dat mikroskopie atomové síly byly určeny hodnoty významných statistických veličin zpracováním množiny hodnot výšek nerovností pro 11 vzorků povrchů GaAs připravených rozpuštěním vrstev termických oxidů vzniklých hladkých povrchů GaAs pro různé oxidační časy (interval oxidačních časů byl 20 minut až 8 hodin). Z analýzy provedené mikroskopií atomové síly jsme zjistili, že drsnost povrchů GaAs je výrazná pro kratší oxidační časy, tj. pro časy menší nebo okolo 2 hodin.
Související projekty:	Realizace laboratorního vzoru zařízení pro měření drsnosti povrchu metodou holografické interferometrie Optické a mechanické vlastnosti tenkých vrstev DLC:Si připravených PECVD metodou Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur