Atomic force microscopy analysis of morphology of the upper boundaries of GaN thin films prepared by MOCVD
| Název česky | Analýza morfologie horních rozhraní vrstev GaN připravených pomocí MOCVD s využitím mikroskopie atomové síly |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2005 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Vacuum |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | Roughness; AFM; GaN films |
| Popis | V tomto článku jsou uvedeny výsledky týkající se analýzy horních rozhraní nukleačních a "buffer" vrstev GaN připravených pomocí MOCVD. Je ukázáno, že horní rozhraní nukleačních vrstev vykazují morfologii identickou se statistickou drsností. Hodnoty základních statistických veličin drsnosti, tj. standardní odchylky výšek a autokorelační vzdálenosti těchto rozhraní, jsou určeny v závislosti na čase a teplotě jejich zahřívání. Tyto standardní odchylky klesají s rostoucími hodnotami obou technologických parametrů. Je také nalezeno, že odpovídající spektrální hustoty prostorových frekvencí horních rozhraní těchto vrstev vyhovují velmi dobře Gaussově funkci. Dále je ukázáno, že GaN "buffer" vrstvy vytvořené na vybrané nukleační vrstvě mají morfologii horních rozhraní, která je rozdílná od typické statistické povrchové drsnosti. Standardní odchylky a autokorelační délky klesají s rostoucí tloušťkou "buffer" vrstvy a spektrální hustota prostorových frekvencí těchto vrstev je dosti odlišná od Gaussovy funkce. Je ukázáno, že korelace mezi horními rozhraními "buffer" vrstev a nukleačních vrstev je relativně slabá. |
| Související projekty: |