Optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films
Název česky | Optická charakterizace nestechiometrických vrstev nitridu křemíku |
---|---|
Autoři | |
Rok publikování | 2008 |
Druh | Článek v odborném periodiku |
Časopis / Zdroj | physica status solidi (c) |
Fakulta / Pracoviště MU | |
Citace | |
Obor | Optika, masery a lasery |
Klíčová slova | ellipsometry; spectrophotometry; silicon nitride; stoichiometry; optical constants |
Popis | Charakterizace nestechiometrických vrstev nitridu křemíku připravených metodou PECVD na křemíkové monokrystalické substráty jsou provedeny pomocí víceúhlové spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie a Rutherfordova zpětného rozptylu (RBS). Optická charakterizace zaměstnává disperzního modelu založeného na parametrizaci hustoty elektronových stavů z valenčního a vodivostního pásu. Tenké overlayery na horní hranici vrstev jsou vzaty v úvahu. Jsou určeny hodnoty rozptylu parametrů filmů SiNx a tloušťky těchto filmů a overlayerů. Poměry Si a N atomových frakcí jednotlivých vrstev jsou hodnoceny pomocí RBS. Výsledky z optické metody a RBS jsou korelovány. |
Související projekty: |