X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Rtg difrakce na precipitátech v Czochralského křemíku
Autoři

CAHA Ondřej MEDUŇA Mojmír

Rok publikování 2009
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Physica B condensed matter
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Silicon; X-ray diffraction; Precipitates
Popis Jsou uvedeny výsledky studie precipitace kyslíku v CZ Si. Rtg difrakce s vysokým rozlišením byla použita pro měření map reciprokého prostoru na vzorcích s různým žíhacím procesem. Měření byla provedena pro několik řádů difrakce a byly zjištěny systematické rozdíly. Byl simulován difuzní rtg rozptyl, kde bylo počítáno pole posunutí od precipitátu za použití teorie elasticity kontinua. Simulace dávají správné asymptotické chování a byla nalezena interpretace oblasti mezi Huangovým rozptylem a rozptylem na jádře. Výsledky rtg difrakce jsou korelovány s měřením infračervené absorpční spektroskopie poskytující koncentraci intersticiálního kyslíku.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.