X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon
| Název česky | Rtg difrakce na precipitátech v Czochralského křemíku |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2009 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Physica B condensed matter |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | Silicon; X-ray diffraction; Precipitates |
| Popis | Jsou uvedeny výsledky studie precipitace kyslíku v CZ Si. Rtg difrakce s vysokým rozlišením byla použita pro měření map reciprokého prostoru na vzorcích s různým žíhacím procesem. Měření byla provedena pro několik řádů difrakce a byly zjištěny systematické rozdíly. Byl simulován difuzní rtg rozptyl, kde bylo počítáno pole posunutí od precipitátu za použití teorie elasticity kontinua. Simulace dávají správné asymptotické chování a byla nalezena interpretace oblasti mezi Huangovým rozptylem a rozptylem na jádře. Výsledky rtg difrakce jsou korelovány s měřením infračervené absorpční spektroskopie poskytující koncentraci intersticiálního kyslíku. |
| Související projekty: |