Structural and defect changes of hydrogenated SiGe films due to annealing up to 600degC

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Strukturální a poruchové změny hydrogenovaných SiGe vrstev vlivem žíhání do 600degC
Autoři

SLÁDEK Petr SŤAHEL Pavel BURŠÍKOVÁ Vilma

Rok publikování 2009
Druh Konferenční abstrakty
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Popis Pro lepší pochopení role vodíku na poruchy a uspořádanost nedopovaných nano a mikrokrystalických vrstev SiGe:H jsme zkoumali závislost mechanických a optoelektrických vlastností na depozičních podmínkách, zejména tlaku v plasmatu. \výsledky ukazují na různé chování vodíku v závislosti na růstovém mechanismu tenkých vrstev.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.