Quantum entanglement in lateral GaAs/AlGaAs quantum dot molecules

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	KŘÁPEK Vlastimil KLENOVSKÝ Petr RASTELLI Armando SCHMIDT Oliver G MUNZAR Dominik
Rok publikování	2010
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of Physics: Conference Series
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	http://iopscience.iop.org/1742-6596/245/1/012027
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Excitons and related phenomena; Tunneling; Quantum dots; Semiconductor compounds
Popis	We calculate the excitonic structure of pairs of GaAs/AlGaAs quantum dots forming lateral molecules and obtain the entanglement of exciton states. The following advantages of the lateral geometry over the vertical one are found: (1) The energy structures of the dots forming a molecule can be in principle identical. (2) Comparable tunneling of electrons and holes ensures a high entanglement of antisymmetric excitons. A drawback of existing structures are very low tunneling energies, which make the entanglement vulnerable against differences in the sizes and shapes of both dots.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů