InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Pokrytí InAs/GaAs kvantových teček v kineticky limitovaném MOVPE růstovém režimu
Autoři

HOSPODKOVÁ Alice PANGRÁC J. VYSKOČIL J. OSWALD J. VETUSHKA A. CAHA Ondřej HAZDRA P. KULDOVÁ K. HULICIUS E.

Rok publikování 2011
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Journal of crystal growth
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Low dimensional structures; Photoluminescence; Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; InAs/GaAs quantum dots; Semiconducting III-V materials
Popis Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček mohou být významně změněny vlastnostmi krycí vrstvy. Studovali jsme efekt parciálního tlaku prvků III. skupiny na fotoluminiscenci.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.