Informace o projektu
Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
- Kód projektu
- GA202/00/0354
- Období řešení
- 1/2000 - 1/2002
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
Samouspořádávací procesy při epitaxním růstu polovodičových heterostruktur jsou vhodným kandidátem pro růst velmi malých struktur (kvantových drátů a teček) se zajímavými technologickými aplikacemi. V rámci navrhovaného projektu bude studována struktura samouspořádaných rozhraní RTG rozptylem (RTG maloúhlá reflexe, RTG difrakce s vysokým rozlišením, grazing-incidence RTG difrakce) a pomocí rastrovací mikroskopie AFM (atomic force microscopy). Experimentální výsledky budou srovnány s modelovými simulacemi epitaxního růstu, založenými na výpočtu deformačního pole poblíž rostoucího rozhraní a na Monte-Carlo simulaci kinetiky růstu. Pozornost bude věnována zejména supermřížkám SiGe/Si, SiC/Ge a PbSe/PbEuTe připravených metodou molekulární epitaxe. RTG měření budou prováděna na laboratorních zdrojích a na synchrotronu ESRF v Grenoblu. Na vysokoteplotním laboratorním reflektometru budou sledovány strukturní změny v samouspořádaných strukturách za vyšších teplot.
Publikace
Počet publikací: 27
2002
-
Processes of self-organization during epitaxial growth of semiconductor superlattices - an x-ray scattering study
From Semiconductors to Proteins: Beyond the Averaged Structure, rok: 2002, počet stran: 17 s.
-
Self-organized ordering in self-assembled quantum dot superlattices
Material Sci. and Engn., rok: 2002, ročník: B88, vydání: 10
-
Self-organized semiconductor nanostructures: shape, strain and composition
Materials Science and Engineering, rok: 2002, ročník: C19, vydání: 3
-
Strain in buried self-assembled SiGe wires studied by grazing-incidence x-ray diffraction
Physical Review B, rok: 2002, ročník: B65, vydání: 11
-
Structural investigation of semiconductor nanostructures by x-ray techniques
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A, rok: 2002, ročník: 200, vydání: 1
2001
-
Effect of substrate heating and ion beam polishing on the interface quality in Mo/Si multilayers - X-ray comparative study
Physica B, rok: 2001, ročník: 305, vydání: 1
-
GID study of strains in Si due to patterned SiO2
J. Phys.D.: Appl. Phys., rok: 2001, ročník: 34, vydání: 10A
-
Grazing incidence small-angle x-ray scattering study of self-organized SiGe wires
Phys. Rev. B, rok: 2001, ročník: 63, vydání: 20
-
High-resolution x-ray diffraction from self-organized PbSe/PbEuTe quantum dot superlattices
J. Phys.D.: Appl. Phys., rok: 2001, ročník: 34, vydání: 10A
-
Strain and composition distribution in uncapped SiGe islands from x-ray diffraction
Applied Physics Letters, rok: 2001, ročník: 79, vydání: 10