Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

FRANTA Daniel NEČAS David ZAJÍČKOVÁ Lenka OHLÍDAL Ivan STUCHLÍK Jiří

Rok publikování 2013
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Thin Solid Films
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Ellipsometry; Spectrophotometry; a-Si:H; Urbach tail; Localized states; Sum rule
Přiložené soubory
Popis Amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) films deposited on glass and crystalline silicon substrates are analyzed using a multi-sample method combining ellipsometry and spectrophotometry in a spectral range of 0.046–8.9 eV, utilizing an analytical dispersion model based on parametrization of joint density of states and application of sum rule. This model includes all absorption processes from phonon absorption to core electron excitations. It is shown that if films deposited on both substrates are characterized together it is possible to study both phonon absorption and weak absorption processes below the band gap, i.e. the Urbach tail and absorption on localized states.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.