Laser desorption time-of-flight mass spectrometry of atomic switch memory Ge2Sb2Te5 bulk materials and its thin films

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

HOUŠKA Jan PENA-MÉNDEZ Eladia Maria KOLÁŘ Jakub PŘIKRYL Jan PVLIŠTA Martin FRUMAR Miloslav WÁGNER Tomáš HAVEL Josef

Rok publikování 2014
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Rapid Communications in Mass Spectrometry
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1002/rcm.6833
Obor Analytická chemie, separace
Klíčová slova atomic switch memory thin films pulsed laser deposition laser desorption time of flight mass spectrometry clusters solid phase structural fragments phase change materials Ge2Sb2Te5 (GST) laser ablation
Popis The report elucidates the stoichiometry of GemSbnTep clusters formed in plasma when bulk or nano-layers of GST material are ablated. The clusters stoichiometry were identified using isotopic envelope analysis. The singly negatively or positively charged clusters identified from the LDI of GST were Ge, Ge2, GeTe, Ge2Te, Ten (n=1–3), GeTe2, Ge2Te2, GeTe3, SbTe2, Sb2Te, GeSbTe2, Sb3Te and the low abundance ternary GeSbTe3, while the LDI of germanium telluride yielded GemTen + clusters (m=1–3, n=1–3). Several minor Ge-H clusters were also observed for pure germanium and for germanium telluride. Sbn clusters (n=1–3) and the formation of binary TeSb, TeSb2 and TeSb3 clusters were detected when Sb2Te3 was examined. The clusters were found to be fragments of the original structure.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.