Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

KLENOVSKÝ Petr KŘÁPEK Vlastimil MUNZAR Dominik HUMLÍČEK Josef

Rok publikování 2010
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Journal of Physics: Conference Series
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www http://iopscience.iop.org/1742-6596/245/1/012086/
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Quantum Dots; Semiconductor Compounds; Mechanical properties of nanoscale systems
Popis We present results of our 8-band k.p calculations of the emission energy of InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered with GaAs1-xSbx strain reducing overlayer (SRO). In agreement with previous experimental observations we find a strong red shift of the emission with increasing Sb content. We explain this effect by: (1) The lowering of the valence band offset between the QD and the SRO with increasing Sb content resulting in the type-II QDs with holes confined in the SRO for Sb concentration above 14%. (2) The reduction of compressive strain inside the QDs. The contributions of these mechanisms to the total red shift are estimated and compared. For realistic shape and size of the QD and a realistic value of the SRO thickness the previously measured photoluminescence data are reproduced with fairly good accuracy.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.